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[发明专利]一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构及制备方法-CN202211670983.0在审
发明人：曹林炜;孙翔宇;安宁;王月兴 -专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于三维集成TSV转接板的微流道结构及制备方法，所述结构包括顶部TSV转接板和底部TSV转接板；其中顶部TSV转接板上刻蚀形成多个TSV阵列柱，TSV阵列柱之间的间隙形成微流道；底部TSV转接板与顶部TSV转接板通过金属键合，且底部TSV转接板上刻蚀形成微流道出入口以及与顶部TSV转接板上的TSV对应的TSV。本发明提出的三维集成TSV转接板的微流道结构在硅TSV转接板进行流道刻蚀，形成TSV阵列柱，TSV阵列柱既可以作为翅片，增强扰动，强化了微流道的传热效果；又能够作为电气互连接口，将芯片的多个接口进行引出互联
一种基于三维集成 tsv 转接微流道结构制备方法

[发明专利]TSV导电结构、半导体结构及制备方法-CN202011289012.2有效
发明人：陈世平;唐昭焕;陈世杰;吴罚;朱克宝;张斌 -专利权人：联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种TSV导电结构、半导体结构及制备方法，TSV导电结构包括衬底、TSV导电柱及TSV导电块，TSV导电柱与TSV导电块为一体成型，TSV导电柱的一端显露于衬底，TSV导电柱的另一端与TSV导电块相接，且TSV导电块的横截面积大于TSV导电柱的横截面积，以及衬底显露TSV导电块，从而可在进行TSV导电结构的导电引出时，通过TSV导电块增大接触面积，以有效降低由对准偏差所带来的接触不良的风险概率，以及可有效降低互连失效的风险概率，TSV导电结构的深度均一性容忍度较高，应用范围较广，且制备工艺较简单，易于实施，制造成本较低。
tsv 导电结构半导体制备方法

[发明专利]一种TSV导电通孔结构制备方法-CN202110662046.X有效
发明人：李宝霞;刘建军;赵鸿 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV导电通孔结构制备方法，通过在TSV孔制备晶圆上设置比目标TSV直径大的TSV孔作为套刻标记，利用Bosch工艺过程中对大孔径TSV孔具有更高的刻蚀速度和更深刻蚀效果的特性，保证在完成晶圆上目标TSV孔单面刻蚀目标深度的同时，套刻TSV孔的刻蚀深度不小于晶圆上目标TSV正反面刻蚀目标深度，从而能够在完成晶圆背面减薄后露出套刻TSV孔，在背面以露出的套刻TSV孔作为光刻对版标记，保证晶圆正反面目标TSV孔的套刻精度，能够实现更高深宽比的TSV导电通孔的制备。通过在TSV孔制备晶圆上，设计更大尺寸的TSV孔，作为目标TSV孔的套刻图形，不受限于基板材料与TSV孔尺寸的限制，能够实现不同孔径、高深宽比TSV孔的制备。
一种 tsv 导电结构制备方法

[发明专利]一种基于间隔分组的TSV故障容错方法-CN201910809561.9有效
发明人：梁华国;左小寒;王鑫宇;倪天明;蒋翠云;应健锋;易茂祥;黄正峰 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于间隔分组的TSV故障容错方法，其步骤包括：1使用正方形将网格阵列中TSV按位置分为若干TSV组；2为每个TSV组确定冗余、信号TSV，并配备数据选择器；3构建TSV组中双向环链式结构；4确定TSV组中一阶信号TSV并将对应逻辑信号连接至冗余TSV；5将TSV分区并构建单向环链式结构。本发明能够以较小的硬件开销、较低的延时为代价，在TSV发生均匀及聚簇故障下，均达到高修复率。
一种基于间隔分组 tsv 故障容错方法

[发明专利]测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法-CN201310261070.8有效
发明人：王珺;庞钧文;戴维 -专利权人：复旦大学
申请日： 2013-06-26 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： G01N1/28 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域，公开了一种测量TSV铜柱弯曲模量和屈服应力的方法。本发明中，腐蚀埋藏有TSV铜柱的硅片，直至形成TSV铜柱悬臂梁结构；选择用于测量弯曲模量和屈服应力的TSV铜柱，去除多余的TSV铜柱，形成单根或单排的TSV铜柱；在所述用于测量的TSV铜柱的顶端施加横向压力，并记录对TSV铜柱横向施加的压力P、TSV铜柱弯曲的位移δ、施压点到TSV铜柱根部的距离L；根据记录的数据计算TSV铜柱弯曲模量和屈服应力。
测量 tsv 弯曲屈服应力方法

[发明专利]一种带有IPD的TSV孔结构及其加工方法-CN201510055003.X有效
发明人：靖向萌 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有IPD的TSV孔结构，采用传统的TSV工艺流程，通过结构设计，使得TSV孔的结构简单，在保证TSV孔简单成型的同时实现了电阻、电容、电感的TSV转接板结构，提高转接板性能，其包括硅晶圆体，其特征在于所述硅晶圆体上设置有多个TSV通孔，所述TSV通孔内连同硅晶圆体表面沉积有绝缘层，所述TSV通孔中至少一个TSV通孔内设置有横向绝缘层，形成TSV通孔上下隔断，所述TSV通孔内电镀金属层，所述TSV通孔上的所述金属层上下端交错互连，所述硅晶圆体表面成型环状电镀金属层，所述环状电镀金属层与所述TSV通孔内电镀金属层互连，本发明同时提供了一种带有IPD的TSV孔结构的加工方法。
一种带有 ipd tsv 结构及其加工方法

[发明专利]一种TSV正面端部互连工艺-CN201310233922.2有效
发明人：戴风伟;于大全 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2013-09-04 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种TSV正面端部互连工艺，包括：采用刻蚀工艺在基底上制备若干TSV孔；在TSV孔内壁及基底表面制备绝缘层；在TSV孔中及绝缘层表面电镀形成TSV导电柱；CMP工艺，去除包括TSV导电柱在内的一定厚度的硅基底；对TSV导电柱进行退火，使TSV导电柱凸出于基底之上一定高度；在基底及TSV导电柱表面制备钝化层；去除部分钝化层，使TSV导电柱顶部暴露出钝化层；制备TSV导电柱的金属互连结构。本发明通过减小或去除了TSV端部拐角处的应力集中区，降低由于应力而产生绝缘层与基底之间分层或裂纹的可能性；同时利用电镀TSV导电柱并进行退火处理后，TSV导电柱会凸出这一现有工艺的缺陷，实现TSV导电柱与再分布层金属的互连
一种 tsv 正面互连工艺

[发明专利]半导体装置和层叠式半导体装置-CN201210052987.2有效
发明人：郑椿锡;李在眞 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，包括：TSV，TSV被形成为与另一个芯片电连接；以及TSV测试单元，TSV测试单元被配置成检查TSV的电容分量以产生TSV异常信号。
半导体装置层叠

[实用新型]一种微波多芯片组件的封装结构-CN201821995314.X有效
发明人：耿菲 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微波多芯片组件的封装结构，包括：第一TSV硅基板；第二TSV硅基板，所述第二TSV硅基板设置在所述第一TSV硅基板上方，且具有芯片埋置空腔；埋置芯片，所述埋置芯片设置在所述第二TSV硅基板的所述芯片埋置空腔中；TSV硅盖板，所述TSV盖板设置在所述第二TSV硅基板上方，且与所述第一TSV硅基板、所述第二TSV硅基板一起形成对所述埋置芯片的气密封装；表面器件，所述表面器件电连接至在所述TSV盖板的表面焊盘；以及外接焊球，所述外接焊球电连接至所述第一TSV硅基板的外接焊盘。
硅基板埋置芯片多芯片组件表面器件封装结构电连接盖板焊球空腔外接微波本实用新型表面焊盘气密封装外接焊盘硅盖板

[发明专利]TSV测试方法及系统、设备及存储介质-CN202110404464.9有效
发明人：朱晓锐;殷中云;邓玉良;郑伟坤;庄伟坚;李昂阳 -专利权人：深圳市国微电子有限公司
申请日： 2021-04-15 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种TSV测试方法及系统、设备及存储介质，包括：将i初始化为0，判断i是否大于或等于M，若否，则选择N层堆叠芯片中的一组TSV链并赋值为i+1，并对TSV链进行测试；检测1～N层的TSV链是否存在故障，若存在，则检测第P层到第P+1层的TSV链；若第P层到第P+1层的TSV链存在故障，则记录TSV链存在故障的位置，将TSV链存在故障的位置发送至控制器并进行记录，直至1～N层中每一层间均检测完成；当1～N层中每一层间均检测完成后，重复判断i是否大于或等于M，若是，则通过控制器修复所述存在故障的TSV。该方法可以定位到出现故障的TSV上，只对TSV链上出现故障的TSV进行修复，无故障的TSV则不需要修复，且可使用冗余的TSV替换有故障的TSV，不会占用冗余TSV的资源。
tsv 测试方法系统设备存储介质

[发明专利]一种3D集成电路的TSV自动插入方法-CN201410111904.1有效
发明人：侯立刚;赵未;汪金辉;彭晓宏;耿淑琴 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2017-01-25 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D集成电路的TSV自动插入方法，属于电路设计领域；首先建立3D集成电路版图的直角坐标系，对已经初步定位的TSV和标准单元进行坐标和尺寸的提取，并按照纵坐标进行分类；然后分别对每一行的标准单元进行移动并插入TSV；在必要的情况下，需要在移动标准单元的同时移动TSV，来保证标准单元移动后TSV与同一行标准单元的相对位置的改变比移动之前尽量小；第一种是将3D集成电路每一层芯片键合起来以后再制作TSV，这要求每层TSV位置都一样，当TSV位置初步确定后，插入TSV时不能移动TSV。第二种是在每层芯片器件制作前制作TSV，此时TSV的位置可以移动，就可以使用移动TSV的TSV插入方法。
一种集成电路 tsv 自动插入方法

[发明专利]TSV裸片与封装衬底之间的结合完整性的非接触确定-CN201180040648.6有效
发明人：杰弗里·A·韦斯特 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2011-09-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供一种在部分组装之后确定TSV结合完整性的非接触电压对比VC方法。提供(101)TSV裸片，所述TSV裸片包含从所述TSV裸片的前侧延伸到所述TSV裸片的底侧上的TSV尖端的若干TSV。将至少一些TSV(接触TSV)附接到多层ML封装衬底的顶部表面上的垫。所述ML封装衬底位于阻挡对所述TSV裸片的所述前侧的电接达的衬底载体上。将包含若干群组接触TSV的两个或两个以上网共同系接在所述ML衬底内。将带电粒子参考束引导(102)到第一网内的选定TSV且接着跨越所述第一网中的所述TSV光栅化(103)带电粒子原束。检测(104)所发射的VC信号，并从所述VC信号确定(105)所述接触TSV与所述ML封装衬底的垫的结合完整性。
tsv 封装衬底之间结合完整性接触确定

[发明专利]用于检测三维(3D)集成电路(IC)(3DIC)中的硅穿孔(TSV)裂纹的TSV裂纹传感器以及相关方法和系统-CN201680009895.2在审
发明人：李圣奎;瑞提柏·瑞多席克;杜杨 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2016-02-05 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： G01R19/165 文献下载
摘要：本发明公开用于检测三维3D集成电路IC 3DIC中的硅穿孔TSV裂纹的TSV裂纹传感器以及相关方法和系统。在一个方面中，提供一种TSV裂纹传感器电路，在所述TSV裂纹传感器电路中，用于多个TSV的掺杂环以并联方式互连，使得可通过将单一电流提供到所述互连掺杂环的触点中来同时测试所有互连的TSV掺杂环。在另一方面中，提供一种TSV裂纹传感器电路，其包含一或多个冗余TSV。单独测试用于对应TSV的每一掺杂环，并且用未检测到掺杂环破裂的备用TSV替换有缺陷的TSV。此电路允许通过用备用TSV替换可能受损的TSV来修正受损的3DIC。
用于检测三维集成电路 ic dic 中的穿孔 tsv 裂纹传感器以及相关方法系统

[发明专利]一种防漏电TSV背面露头结构及其制造方法-CN201911336741.6在审
发明人：李恒甫;张春燕;孙鹏;曹立强 -专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日： 2019-12-23 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种防漏电TSV背面露头结构，包括：TSV转接板，包含正面和与正面相对的背面，所述正面包含互连工艺；TSV结构，所述TSV结构贯穿TSV转接板的正面和背面，并且从TSV转接板的背面露头；阻挡层，所述阻挡层设置在TSV结构露头部分的侧壁上；绝缘介质层，所述绝缘介质层设置在所述阻挡层的外侧，填充所述TSV结构之间的空间，其中绝缘介质层的顶面与TSV结构露头的顶面处于同一平面。
一种漏电 tsv 背面露头结构及其制造方法

[发明专利]具有TSV健康监测电路的存储器-CN202011371971.9在审
发明人： D·H·希斯科克;E·C·皮尔逊;J·H·金特里;M·J·斯科特;G·S·加特林;L·H·马修斯;A·M·盖德尔;M·罗思;M·H·盖格 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-11-30 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G11C29/02 文献下载
摘要：本文中公开了具有TSV健康监测电路的存储器以及相关联的方法。在一个实施例中，存储器装置包括多个存储器管芯、与所述存储器管芯电通信的多个穿硅通孔TSV；以及电路。在一些实施例中，所述电路被配置成电耦合所述多个TSV的TSV对以形成无源电路。例如，所述电路可以激活电定位在所述TSV对的TSV之间的晶体管，以电耦合所述TSV对。在这些和其它实施例中，所述电路使用所述无源电路向所述TSV对施加测试电压以确定所述TSV对的TSV是否包括降级。
具有 tsv 健康监测电路存储器

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